一是振動(dòng)方向偏移。電磁式振動(dòng)測(cè)試臺(tái)的標(biāo)準(zhǔn)振動(dòng)方向?yàn)榇怪狈较颍╖ 軸），但傾斜的臺(tái)面會(huì)使振動(dòng)能量分解為垂直與水平兩個(gè)分力。例如當(dāng)臺(tái)面偏差 0.8° 時(shí)，垂直方向的有效振動(dòng)加速度會(huì)損失 5%，同時(shí)在水平方向產(chǎn)生額外的附加振動(dòng)，這對(duì)僅需垂直振動(dòng)測(cè)試的樣品（如芯片封裝件）而言，相當(dāng)于引入了 “虛假振動(dòng)干擾"，導(dǎo)致測(cè)試環(huán)境與實(shí)際工況偏離。

二是臺(tái)面各點(diǎn)振動(dòng)參數(shù)失衡。傾斜臺(tái)面的兩端會(huì)形成 “高低差"，靠近低端的樣品受到的振動(dòng)激勵(lì)力明顯小于。某實(shí)驗(yàn)室測(cè)試數(shù)據(jù)顯示：當(dāng)電磁式振動(dòng)測(cè)試臺(tái)臺(tái)面水平度偏差 1° 時(shí)，臺(tái)面兩端的加速度差值可達(dá) 8%，同一批測(cè)試的傳感器出現(xiàn) “部分合格、部分失效" 的矛盾結(jié)果，實(shí)際并非產(chǎn)品質(zhì)量問(wèn)題，而是水平度偏差導(dǎo)致的測(cè)試。

對(duì)微型精密件（如芯片、MEMS 傳感器）而言，影響尤為顯著。這類(lèi)樣品的敏感元件尺寸僅微米級(jí)，臺(tái)面傾斜導(dǎo)致的微小附加力（如 0.1N 的水平分力）就可能使其內(nèi)部引線產(chǎn)生額外應(yīng)力。用水平度偏差 1.2° 的電磁式振動(dòng)測(cè)試臺(tái)測(cè)試芯片焊點(diǎn)時(shí)，焊點(diǎn)的疲勞失效時(shí)間較正常測(cè)試縮短 30%，誤判為 “焊點(diǎn)強(qiáng)度不足"，而實(shí)際在水平臺(tái)面測(cè)試中，該批芯片符合標(biāo)準(zhǔn)。